2N7002V-7

当您需要在一个极小的空间内实现高效的双路信号切换时，您是否曾为分立器件的布局和性能一致性而烦恼？现在，2N7002V-7的到来，为您提供了集成化、高可靠性的完美解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET阵列，将两个性能一致的开关单元集成在微小的SOT-563封装内，不仅节省了宝贵的PCB面积，更确保了通道间卓越的匹配性，让您的设计从起点就赢在效率和稳定性上。

它的身影活跃在众多需要精密控制与信号调理的场合。无论是便携式消费电子中背光驱动的切换，还是智能家居传感器模块里微弱信号的选通与隔离，2N7002V-7都能凭借其60V的耐压能力和最高280mA的连续漏极电流，轻松应对。其低至2.5V的栅极阈值电压，使其能与现代低电压微处理器和逻辑电路无缝对接，无需复杂的电平转换，直接驱动，大大简化了系统设计。在模拟开关、负载开关或作为数字信号的缓冲器中，它都能提供清晰、快速的响应。

选择2N7002V-7，就是选择了一种面向高密度、高可靠性应用的设计哲学。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品整体性能与竞争力的得力助手。其表面贴装型设计和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，保证了它在严苛环境下的稳定运行，满足工业级应用的需求。虽然该型号已停产，但通过可靠的DIODES一级代理渠道，您依然可以获取高质量的库存，为现有产品的维护与升级提供坚实保障。让这颗集成双雄，成为您电路设计中小而强大的核心引擎，驱动创新，赢得市场。

• 型号:2N7002V-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 25V
• 功率 - 最大值:150mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
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您正在寻找一颗能同时控制两路信号、且占用空间极小的开关吗？2N7002V-7正是为您量身打造。这颗双N沟道MOSFET阵列，将两个独立的60V/0.28A开关集成在微型的SOT-563封装内，让您轻松实现高密度板卡上的双路信号切换、负载选通或电平转换，极大地节省了布局空间并提升了系统集成度。

它拥有仅2.5V的低开启电压，能与绝大多数低压MCU直接兼容，让您的设计告别复杂的驱动电路，实现高效、直接的控制。无论是用于便携设备的电源管理，还是作为精密仪器中的模拟开关，2N7002V-7都能以稳定的性能和一致的通道特性，确保您系统的可靠运行。