2N7002H-13

在追求极致能效的电子设计世界里，您是否还在为寻找一款既能精准控制微小电流，又能承受一定电压冲击的可靠开关而烦恼？现在，答案就在眼前。让我们向您隆重介绍2N7002H-13，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，它不仅仅是一个晶体管，更是您提升电路性能、简化设计流程的得力助手。凭借其60V的漏源电压和170mA的连续漏极电流能力，它能在各种严苛环境下稳定工作，将可靠性与高效性完美结合。

想象一下，在您的便携式设备、智能传感器模块或精密电源管理电路中，2N7002H-13正扮演着关键角色。它那仅需5V驱动电压即可实现低导通电阻的特性，让信号切换变得无比迅捷和节能，极大延长了电池的续航时间。无论是用于负载开关、电平转换，还是信号隔离与放大，这颗小巧的SOT-23封装芯片都能无缝融入您的紧凑型设计，在-55°C至150°C的广阔温度范围内保持出色表现，确保您的产品从实验室到最终用户手中，始终如一地稳定运行。

选择2N7002H-13，就是选择了一份经过市场验证的卓越品质与设计自由度。它极低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更加敏捷。其坚固的设计能够耐受±20V的栅源电压，提供了额外的安全裕度，让工程师在设计时更加安心。当您需要可靠的原厂供应链支持时，我们的DIODES代理网络随时准备为您提供从样品到批量生产的全方位服务，确保您能轻松获取这颗性能出众的芯片，加速您的产品上市进程。

• 型号:2N7002H-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.35 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:26 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取2N7002H-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能高效、可靠地控制小功率电路的开关吗？2N7002H-13正是为您而来！这颗N沟道MOSFET就像一个反应敏捷的“电子阀门”，仅需5V电压即可轻松驱动，实现快速、精准的电路通断控制。

它能让您的设计事半功倍。高达60V的耐压和170mA的电流处理能力，足以应对多种低压应用场景；而仅7.5欧姆的低导通电阻，则能显著减少功率损耗，提升整体能效。无论是用于信号切换、负载管理还是电平转换，它都能让您的电路运行更稳定、更高效。

采用微型SOT-23封装，它为您节省宝贵的PCB空间；宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）则确保了其在各种环境下的可靠性。选择2N7002H-13，就是为您的产品选择了一颗经久耐用、性能出色的核心元件。