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2N7002E-7-F-W
的报价和技术资料 - DIODES公司授权中国代理商 |
2N7002E-7-F-W
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
DIODES(美台)
功能简述:
MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
原厂封装:
封装:SOT-23-3
优势价格,2N7002E-7-F-W的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
2N7002E-7-F-W的技术资料下载
2N7002E-7-F-W的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
型号:2N7002E-7-F-W
品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
封装:SOT-23-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3 欧姆 @ 250mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):0.22 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):50 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):370mW(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:SOT-23-3
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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