2N7002DW-7

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，您是否还在为寻找一款既能简化电路、又能稳定驱动小功率负载的可靠开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的经典解决方案2N7002DW-7。这款来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET阵列，以其卓越的性价比和稳定的性能，持续为无数创新设计注入活力。

想象一下，在您的便携设备、智能传感器模块或精密控制电路中，需要高效、安静地切换信号路径或驱动微型继电器、LED指示灯。2N7002DW-7正是为此而生。它集成了两个独立的MOSFET于微小的SOT-363封装内，不仅为您节省了宝贵的PCB空间，更通过其60V的耐压能力和230mA的连续电流驱动能力，为您的设计提供了坚实的保护与灵活性。其低至2V的阈值电压，意味着它能够轻松兼容3.3V甚至更低的逻辑电平，让您的MCU或数字芯片无需额外电平转换即可直接驱动，极大地简化了系统设计。

选择2N7002DW-7，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠。尽管其状态标注为“停产”，但这恰恰证明了其经典与成熟，市场上仍有充足的库存保障您的生产需求。它那仅7.5欧姆的导通电阻和低至50pF的输入电容，确保了开关过程快速且损耗极低，有助于提升整体系统的能效。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）更是让它能够从容应对各种严苛环境，从消费电子到工业控制，都能稳定服役。当您需要可靠的元器件来支撑您的创意时，通过值得信赖的DIODES代理获取它，无疑是确保供应链稳定与产品品质的明智之举。

• 型号:2N7002DW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 25V
• 功率 - 最大值:310mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
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还在为电路板空间紧张而发愁吗？2N7002DW-7这款双N沟道MOSFET阵列，就是您紧凑型设计的得力助手。它将两个独立的60V/230mA开关集成在微小的SOT-363封装中，让您轻松实现信号切换、负载驱动等功能，同时大幅节省布局面积。

这颗芯片能让您的设计事半功倍。其低至2V的开启阈值，让它可以被3.3V或5V逻辑电平轻松驱动，无需复杂的电平转换电路。配合其低导通电阻和低输入电容特性，它能实现高效、快速的开关动作，有效降低功耗与发热，让您的产品运行更稳定、续航更持久。