2N7002AQ-13

在追求极致能效与可靠性的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在严苛环境下稳定工作、同时兼具出色性价比的信号开关或负载驱动方案而烦恼？今天，我们为您带来的2N7002AQ-13，正是这样一颗能够完美回应您挑战的N沟道MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、保障系统稳定性的得力助手。

想象一下，在您的汽车电子模块、便携式设备或工业控制板中，需要快速、精准地切换小功率信号或驱动微型负载。2N7002AQ-13凭借其高达60V的漏源电压和180mA的连续漏极电流能力，能够轻松应对这些任务。其5V的低驱动电压门槛，意味着它可以直接与大多数微控制器或逻辑电路无缝对接，无需复杂的电平转换电路，让您的设计更加简洁高效。更令人安心的是，它隶属于Diodes的汽车级AEC-Q101产品家族，历经严苛认证，从-55°C到150°C的广阔工作温度范围，确保您的产品无论是在冰天雪地还是炎炎夏日，都能保持一如既往的稳定表现。

选择2N7002AQ-13，就是选择了一份可靠与高效。其紧凑的SOT-23封装，为您的PCB布局节省了宝贵的空间，特别适合高密度集成设计。仅5欧姆的低导通电阻（在10V Vgs条件下），有效减少了导通损耗，提升了整体能效，让您的产品在续航和发热控制上更具优势。无论是用于电源管理中的负载开关、信号路径选择，还是作为传感器、LED阵列的驱动器，它都能以卓越的性能和可靠性，成为您电路设计中不可或缺的核心。为了确保您能获得稳定、正品的货源与专业的技术支持，我们强烈推荐您通过官方授权的DIODES一级代理进行采购，为您的项目成功增添一份坚实保障。

• 型号:2N7002AQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 115mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:23 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为小信号切换寻找一颗既可靠又高效的“心脏”吗？2N7002AQ-13正是您理想的答案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，专为要求严苛的汽车级应用设计，拥有60V耐压和180mA的驱动能力，能让您轻松驾驭各种低压控制与负载开关场景。

它最大的魅力在于其极低的驱动需求与出色的导通性能。仅需5V电压即可完全开启，让您能直接使用微控制器GPIO口进行驱动，设计变得异常简单。同时，其低至5欧姆的导通电阻，能显著减少功率损耗，提升系统整体效率。无论是用于便携设备的电源管理，还是工业板卡上的信号路由，2N7002AQ-13都能以紧凑的SOT-23封装和宽温工作特性（-55°C ~ 150°C），为您的产品注入强劲且稳定的动力。