2N7002-7

在追求极致能效与可靠性的电子设计中，您是否曾为寻找一款能在紧凑空间内稳定驱动小功率负载的开关解决方案而烦恼？现在，答案就在眼前。让我们向您隆重介绍2N7002-7，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为高效、精准的开关控制而生。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品性能、简化电路设计的得力助手。

想象一下，在您的便携式设备、智能传感器模块或低功耗控制单元中，2N7002-7正以其高达60V的漏源电压和115mA的连续漏极电流，从容应对信号切换、负载驱动等关键任务。其仅需5V的低驱动电压即可实现高效导通，配合7.5欧姆的低导通电阻，意味着更低的功耗损耗和更少的热量产生，让您的系统运行更凉爽、更持久。无论是-55°C的严寒还是150°C的高温，它都能稳定工作，为您的产品在各种严苛环境下保驾护航。

选择2N7002-7，就是选择了一份经过市场验证的可靠与高效。其经典的SOT-23-3封装，完美适配高密度PCB布局，为您的设计节省宝贵的空间。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用基础使其成为特定库存或替代方案中的经典之选。要获取这颗经典器件或寻找其最佳替代方案，我们推荐您咨询专业的DIODES代理，他们能为您提供精准的库存信息、可靠的技术支持以及灵活的供应链解决方案，确保您的项目顺利进行，无需为元器件供应而担忧。

• 型号:2N7002-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为小信号切换和低功率驱动寻找一颗高效、可靠的“心脏”吗？2N7002-7正是您理想的答案。这颗N沟道MOSFET能轻松胜任高达60V电压、115mA电流的开关任务，其低至5V的驱动门槛和出色的导通特性，让您的电路设计更简单，系统运行更高效。

它采用微型SOT-23-3封装，能无缝融入您紧凑的PCB布局，同时其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的稳定表现。无论是用于便携设备的电源管理，还是精密仪器的信号控制，2N7002-7都能让您以更低的功耗和更高的可靠性，轻松实现精准的电子开关功能。