2DB1714-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款性能稳定、性价比出众的PNP功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案2DB1714-13。这颗来自Diodes Incorporated的明星晶体管，以其高达2A的集电极电流和30V的集射极击穿电压，为您的中等功率应用提供了坚实的性能基石。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品可靠性与效率的关键伙伴。

想象一下，在您的电机驱动、电源管理或负载开关电路中，2DB1714-13正发挥着核心作用。其极低的Vce饱和压降（仅370mV）意味着在导通状态下能量损耗被大幅削减，让您的系统运行更凉爽、续航更持久。无论是消费电子、工业控制还是汽车电子中的辅助模块，这颗芯片都能轻松应对，确保信号放大与开关控制的精准与稳定。其宽广的-55°C至150°C工作温度范围，更是赋予了产品无惧严苛环境的卓越适应性。

选择2DB1714-13，就是选择了一份安心与高效。它高达270的直流电流增益（hFE）确保了出色的信号放大能力，而200MHz的跃迁频率则能满足您对快速响应的需求。表面贴装（SOT89-3）的封装形式，为您的PCB布局节省了宝贵空间，简化了生产流程。当您需要可靠、高性能的PNP晶体管时，它无疑是您的理想之选。我们作为专业的DIODES芯片代理，致力于为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务，助您将创新想法快速转化为市场领先的产品。

• 型号:2DB1714-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-89-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS PNP 30V 2A SOT-89-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:PNP
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:2 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:370mV @ 75mA，1.5A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:270 @ 200mA，2V
• 功率 - 最大值:900 mW
• 频率 - 跃迁:200MHz
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-243AA
• 供应商器件封装:SOT-89-3
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还在为电路中的功率控制环节寻找一颗“得力干将”吗？2DB1714-13正是您期待的答案。这颗PNP双极性晶体管能轻松担当起开关、放大或驱动的重要角色，其2A的电流处理能力和30V的耐压水平，让您在设计电机控制、电源路径管理或LED驱动等应用时信心十足。

它卓越的电气参数为您带来实实在在的价值：极低的饱和压降显著减少导通损耗，提升整体能效；高达270的电流增益让信号放大更高效；同时，它支持高速开关（200MHz），并能在-55°C到150°C的极端温度下稳定工作。选择它，意味着您选择了一个让设计更简洁、性能更可靠、产品更具竞争力的高效解决方案。