2DB1386R-13

在追求极致可靠性的汽车电子设计中，您是否曾为寻找一颗能在严苛环境下稳定工作的高性能PNP晶体管而犹豫不决？今天，我们为您带来的2DB1386R-13，正是为应对这些挑战而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个元件，更是您系统稳定与高效的坚实保障。

想象一下，在引擎控制单元、车身电子模块或复杂的车载信息娱乐系统中，一颗晶体管需要承受从极寒到酷热的温度考验，同时还要保证信号放大与开关控制的精准无误。2DB1386R-13凭借其高达5A的集电极电流和20V的集射极击穿电压，为您的设计提供了充沛的动力裕量。其低至1V的饱和压降意味着更低的导通损耗，而高达180的直流电流增益则确保了出色的信号放大能力，让您的电路响应更灵敏，效率更高。这一切，都封装在坚固的SOT89-3表面贴装封装内，轻松应对自动化生产的严苛要求。

选择2DB1386R-13，就是选择了一份来自Diodes Incorporated的 Automotive, AEC-Q101 认证的承诺。它专为汽车级应用打造，工作温度范围宽达-55°C至150°C，能够从容应对车辆在各种极端气候下的稳定运行需求。这颗芯片的价值，在于它将高性能参数与无与伦比的可靠性完美结合，让您的产品从设计之初就站在了高起点上。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的DIODES中国代理团队随时准备为您服务，确保您的项目从研发到量产一路畅通。让2DB1386R-13成为您下一个成功设计的核心动力，开启高效与可靠的新篇章。

• 型号:2DB1386R-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-89-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS PNP 20V 5A SOT-89-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:PNP
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:5 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:20 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1V @ 100mA，4A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:180 @ 500mA，2V
• 功率 - 最大值:1 W
• 频率 - 跃迁:100MHz
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-243AA
• 供应商器件封装:SOT-89-3
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还在为驱动电路寻找一颗强劲又可靠的“心脏”吗？2DB1386R-13正是您理想的答案。这颗高性能PNP晶体管能轻松承载高达5A的电流，并以高达180的电流增益，让您高效完成信号放大与功率开关任务，显著提升电路的整体响应速度与能效。

它专为严苛环境设计，拥有汽车级AEC-Q101认证，可在-55°C至150°C的极端温度下稳定工作。其低饱和压降特性有效减少了功率损耗，而100MHz的跃迁频率则确保了它在高频应用中的出色表现。选择它，就是为您的汽车电子、工业控制或电源管理应用注入一颗持久耐用的核心。