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1N5261B-T的图片

1N5261B-T

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35
原厂封装:封装:DO-35
优势价格,1N5261B-T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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1N5261B-T的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定性的电路设计中,您是否曾为电压波动而烦恼?当关键信号需要精准的电压基准,或是敏感元件需要可靠的过压保护时,一个微小的偏差就可能导致整个系统性能下降甚至失效。这正是1N5261B-T大显身手的舞台。这颗来自Diodes Incorporated的47V齐纳二极管,以其±5%的精密容差和高达500mW的功率处理能力,为您构建起一道坚固的电压“防洪堤”。它不仅仅是一个元件,更是您电路稳定运行的信心保障,让您在面对复杂工况时,依然能保持从容与高效。

想象一下,在工业控制板的电源输入端,它默默值守,将可能侵入的浪涌电压精准钳位;在通信设备的基准电压电路中,它提供着稳定如磐石的47V参考点,确保信号处理毫厘不差。其高达200°C的宽工作温度范围,意味着即使是在高温的汽车引擎舱或严苛的户外设备内部,它也能持续稳定工作,从-65°C的极寒到200°C的炙热,性能始终如一。这种强大的环境适应性,让您的产品能够轻松应对全球不同市场的多样化需求,极大地拓展了应用边界。

选择1N5261B-T,就是选择了一份经过市场验证的可靠性。经典的DO-35轴向封装,兼容性强,便于在各类PCB板上进行通孔安装,简化了您的生产流程。虽然该型号已处于停产状态,但其卓越的性能和广泛的应用基础,使其在需要高可靠性替换或特定设计的项目中,依然拥有不可替代的价值。为了确保您能获得正品保障和稳定的供货支持,我们强烈建议您通过官方授权的DIODES中国代理进行咨询与采购,这不仅能获得原厂品质的元器件,还能得到专业的技术选型支持,让您的项目从起点就赢在可靠性上。

  • 型号:1N5261B-T
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:DO-35
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):47 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):105 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 36 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 200°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装:DO-35
  • 想获取1N5261B-T的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能精准锁定电压、守护电路安全的“稳压卫士”吗?1N5261B-T正是为此而生。它能为您提供高达47V的稳定齐纳电压基准,容差精细至±5%,有效将电路中的电压波动牢牢控制在安全范围内,无论是用于电压钳位、稳压还是作为参考电压源,都能让您的设计基础无比稳固。

这颗芯片的核心价值在于让您轻松实现高效保护。其500mW的最大功耗和仅105欧姆的动态阻抗,意味着它能以更小的压降和热量,高效地分流过压能量,保护后端精密元件。同时,低至100nA@36V的反向泄漏电流,确保了它在待机或轻载时几乎不消耗额外功率,帮助您优化整体能效。从-65°C到200°C的极端温度下稳定工作,让它能伴随您的产品征战四方,无惧环境挑战。

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