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1N5256B-T的图片

1N5256B-T

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35
原厂封装:封装:DO-35
优势价格,1N5256B-T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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1N5256B-T的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统风险而困扰?当精密电路需要一个可靠的电压基准或保护屏障时,1N5256B-T就是您值得信赖的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的30V齐纳二极管,以其精准的电压箝位能力和卓越的稳定性,成为工程师应对电压挑战的秘密武器,让您的设计从优秀走向卓越。

想象一下,在您的电源管理模块中,它如同一位忠诚的卫士,时刻监测着电压的细微变化。无论是为敏感的IC提供稳定的参考电压,还是在瞬态电压冲击时迅速响应以保护后端电路,1N5256B-T都能出色完成任务。其±5%的严格容差确保了电压基准的精确性,而高达500mW的功率处理能力则赋予了它应对更复杂工况的底气。从工业控制板的稳压环节,到通信设备的浪涌保护,再到各类消费电子产品的电压调节,它的身影无处不在,默默守护着系统的稳定运行。

选择1N5256B-T,就是选择了一份经得起考验的可靠性。它能在-65°C至200°C的宽温范围内稳定工作,适应从严寒到酷热的极端环境挑战。经典的DO-35轴向封装使其兼容性极佳,便于在各类通孔PCB板上进行布局和焊接。虽然该型号已处于停产状态,但其成熟的设计和久经市场验证的性能,使其在存量项目和维护市场中依然具有不可替代的价值。为确保您能获得正品货源和稳定的供应支持,我们强烈建议您通过官方授权的DIODES一级代理进行采购,这不仅关乎产品质量,更是项目长期稳定性的坚实保障。

  • 型号:1N5256B-T
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:DO-35
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):49 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 23 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 200°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装:DO-35
  • 想获取1N5256B-T的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路中的电压不稳而烦恼吗?让1N5256B-T为您带来安心的守护。这颗30V齐纳二极管的核心使命,就是为您提供一个精准、可靠的电压基准和箝位保护。它能将电压稳定地控制在设定值,有效吸收浪涌和瞬态过压,让您的核心电路远离电压波动的威胁,从而提升整个系统的稳定性和寿命。

凭借±5%的高精度和仅49欧姆的动态阻抗,它能让您的电压参考点更加精准,信号更干净。高达500mW的功耗能力和宽达-65°C至200°C的工作温度范围,意味着它能在各种苛刻环境下持续稳定工作,无论是工业严苛现场还是消费电子内部,都能轻松胜任。选择它,就是为您的设计选择了一份经过验证的稳健与高效。

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