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1N5236B-T的图片

1N5236B-T

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
原厂封装:封装:DO-35
优势价格,1N5236B-T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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1N5236B-T的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统不稳定而烦恼?当关键电路需要一个可靠的电压基准或保护屏障时,1N5236B-T齐纳二极管就是您值得信赖的解决方案。这款来自Diodes Incorporated的经典元件,以其精准的7.5V稳压能力和卓越的可靠性,在无数应用中证明了其核心价值,为您的产品注入稳定运行的基因。

想象一下,在电源管理模块中,它如同一位忠诚的卫士,将输入电压牢牢钳制在预设的7.5V,±5%的严格容差确保了基准电压的精准无误,让后续的精密电路得以在最佳状态下工作。无论是作为简单的电压参考源,还是在需要过压保护的敏感输入端,它都能高效地分流多余电流,保护昂贵的核心IC免受浪涌冲击。其高达500mW的功率处理能力和低至6欧姆的动态阻抗,意味着它不仅能应对突发状况,更能在大范围电流变化下保持电压的稳定输出,这种性能让系统设计变得更加从容。

从工业控制板的基准电压源,到消费类电子产品中的电压箝位保护,再到通信设备的稳压环节,DIODES代理商都能为您提供这颗经典器件的可靠供应与技术支持。尽管它已进入停产状态,但其成熟的设计、广泛的验证和库存的可获得性,使其依然是许多经典设计或对长期稳定性有苛刻要求项目的明智之选。选择1N5236B-T,不仅仅是选择了一个元件,更是选择了一份经过时间考验的稳定与安心。它那-65°C至200°C的宽广工作温度范围,更是赋予了产品适应严苛环境的强大韧性。

在元器件选型时,我们追求的不仅是参数达标,更是长期可靠性与系统成本的完美平衡。1N5236B-T正是这样一款产品,它用经典的DO-35轴向封装,提供了通孔安装的坚固性与便利性,非常适合在需要高可靠性的场合使用。其极低的反向泄漏电流(仅3A @ 6V)和合理的正向压降(1.1V @ 200mA),进一步优化了系统的整体能效。当您需要一个久经沙场、性能稳定的7.5V稳压核心时,这款齐纳二极管无疑是连接设计理想与现实成果最坚固、最可靠的桥梁。

  • 型号:1N5236B-T
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:DO-35
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):6 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 6 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 200°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装:DO-35
  • 想获取1N5236B-T的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一个能确保电路板核心电压坚如磐石的解决方案吗?1N5236B-T齐纳二极管正是为此而生。它能为您提供精准可靠的7.5V稳压,容差严格控制在±5%以内,轻松应对输入电压的波动,为后级敏感电路创建一个稳定的“安全区”。无论是作为电压基准还是过压保护钳位,它都能让您的设计远离电压不稳的困扰。

这颗芯片拥有500mW的强大功率处理能力,动态阻抗低至6欧姆,这意味着即使在电流变化时,它也能高效地维持电压稳定。其宽广的工作温度范围(-65°C ~ 200°C)让它能从容应对各种苛刻环境。通过经典的DO-35轴向封装,它为您提供了坚固可靠的通孔安装选项,让集成与维护都变得简单高效。

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