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1N5226B-T的图片

1N5226B-T

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
原厂封装:封装:DO-35
优势价格,1N5226B-T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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1N5226B-T的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定性的电路设计中,您是否曾为电压波动带来的系统不稳定而烦恼?当精密设备需要一个可靠的电压基准时,1N5226B-T就是您值得信赖的守护者。这颗来自Diodes Incorporated的3.3V齐纳二极管,以其±5%的精准容差和高达500mW的功率处理能力,为您提供坚如磐石的电压钳位与基准源。它不仅仅是一个元件,更是您电路稳定运行的基石,让您的设计在复杂环境中也能保持精准与可靠。

想象一下,在便携式消费电子、工业控制模块或汽车辅助系统中,一颗小巧的元件正默默守护着关键电路的电压安全。1N5226B-T正是为此而生。它能在-65°C到200°C的严苛温度范围内稳定工作,无论是极寒还是高温环境,都能确保3.3V基准电压的稳定输出。其28欧姆的最大动态阻抗意味着在负载变化时,电压依然能保持出色的稳定性,有效抑制噪声和瞬态干扰,为您的MCU、传感器或逻辑电路提供一个纯净、可靠的“电压港湾”。

选择1N5226B-T,就是选择了一份经过市场验证的可靠性与性价比。经典的DO-35轴向封装使其兼容性极佳,便于在各类PCB上布局和焊接。虽然该型号已停产,但其成熟的设计和广泛的应用历史,使其成为许多经典设计或备品替换的优选。对于寻求稳定供应与专业支持的工程师,通过值得信赖的DIODES中国代理进行采购,不仅能确保获得正品元件,还能获得及时的技术与库存支持,让您的项目推进再无后顾之忧。让这颗久经考验的齐纳二极管,为您的创新注入一份确定的稳定力量。

  • 型号:1N5226B-T
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:DO-35
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):28 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25 A @ 1 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装:DO-35
  • 想获取1N5226B-T的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能精准锁定3.3V电压的“电路稳压器”吗?1N5226B-T齐纳二极管正是您的理想之选。它能高效地将电压稳定在3.3V(±5%),为您电路中的敏感器件提供可靠的保护,防止过压损坏,同时作为稳定的电压参考源。

这颗芯片能让您的设计工作变得轻松。其500mW的功率处理能力和宽达-65°C至200°C的工作温度范围,确保它在各种苛刻环境下都能稳定运行。无论是用于电源稳压、信号钳位还是作为基准电压源,1N5226B-T都能以卓越的性能,提升您整个系统的可靠性与精度。

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