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DI9952T
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DI9952T技术资料
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DI9952T
场效应管阵列
制造厂商:
Diodes
功能简述:
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
原厂封装:
8-SOP
优势价格,DI9952T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DI9952T的技术资料下载
DI9952T的功能参数资料 - Diodes提供
Diodes公司标准型号:DI9952T
制造厂家名称:Diodes Incorporated
描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
系列:-
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.9A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装
封装形式:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
Diodes器件封装:8-SOP
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