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    DGTD65T50S1PT的图片

    DGTD65T50S1PT

    DIODES图标
    晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
    制造厂商：DIODES(美台)
    功能简述：IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
    原厂封装：TO-247-3
    优势价格，DGTD65T50S1PT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    DGTD65T50S1PT的技术资料下载
    电话询问价格
    DGTD65T50S1PT的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
  • 制造商产品型号：DGTD65T50S1PT
  • 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
  • 描述：IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：100A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：200A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，50A
  • 功率-最大值：375W
  • 开关能量：770μJ（开），550μJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：287nC
  • 25°C时Td（开/关）值：58ns/328ns
  • 测试条件：400V，50A，7.9 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：80ns
  • 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-247-3
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