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DGTD65T15H2TF
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DGTD65T15H2TF价格
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DGTD65T15H2TF技术资料
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DGTD65T15H2TF
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
DIODES(美台)
功能简述:
IGBT600V-XITO-220AB
原厂封装:
TO-220-3 全封装,隔离接片
优势价格,DGTD65T15H2TF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DGTD65T15H2TF的技术资料下载
DGTD65T15H2TF的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
制造商产品型号:DGTD65T15H2TF
制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
描述:IGBT600V-XITO-220AB
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:有源
IGBT类型:场截止
电压-集射极击穿(最大值):650V
电流-集电极(Ic)(最大值):30A
电流-集电极脉冲(Icm):60A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2V @ 15V,15A
功率-最大值:48W
开关能量:270J(开),86J(关)
输入类型:标准
栅极电荷:61nC
25°C时Td(开/关)值:19ns/128ns
测试条件:400V,15A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):150ns
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-220-3 全封装,隔离接片
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