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DGTD65T15H2TF的图片

DGTD65T15H2TF

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造厂商：DIODES(美台)

功能简述：IGBT600V-XITO-220AB

原厂封装：TO-220-3 全封装，隔离接片

优势价格，DGTD65T15H2TF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DGTD65T15H2TF的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

制造商产品型号：DGTD65T15H2TF

制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）

描述：IGBT600V-XITO-220AB

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：有源

IGBT类型：场截止

电压-集射极击穿（最大值）：650V

电流-集电极(Ic)（最大值）：30A

电流-集电极脉冲(Icm)：60A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，15A

功率-最大值：48W

开关能量：270μJ（开），86μJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：61nC

25°C时Td（开/关）值：19ns/128ns

测试条件：400V，15A，10 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：150ns

工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-220-3 全封装，隔离接片

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