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DGTD120T25S1PT的图片

DGTD120T25S1PT

DIODES图标
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：DIODES(美台)
功能简述：IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
原厂封装：TO-247-3
优势价格，DGTD120T25S1PT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DGTD120T25S1PT的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
  • 制造商产品型号：DGTD120T25S1PT
  • 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
  • 描述：IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：50A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：100A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，25A
  • 功率-最大值：348W
  • 开关能量：1.44mJ（开），550J（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：204nC
  • 25°C时Td（开/关）值：73ns/269ns
  • 测试条件：600V，25A，23 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：100ns
  • 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-247-3
  • 想获取DGTD120T25S1PT的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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